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N32G020G7QI

ARM Cortex-M0 处理器内核
― 2KB 指令 Cache 缓存― 最高主频 80MHz 存储
― 从 32K 字节至 256K 字节片内 Flash 存储器 20万次擦写次数，10 年数据保持
― 从 8K 字节至 20K 字节片内 SRAM― 片内 1K 字节 Retention RAM 功耗― ActiveRun 模式：110μA/MHz― PowerDown 模式：0.1μA（典型值） ― PowerDown with RTC work & 1K SRAM Retention 模式：0.8μA（典型值） ― Standby 模式：80μA(典型值)  时钟― 外部高速 12MHz Crystal 时钟输入― 外部低速度 32.768KHz 时钟输入― 内部高速 RC 80MHz 5%精度― 内部低速 RC 32.768KHz 5%精度 工作条件― 1.8V~5.5V 宽工作电压― ESD：±4KV（HBM 模型）― 工作温度范围：-40℃～85℃

 内核―

ARM Cortex-M0 处理器内核

― 2KB 指令 Cache 缓存― 最高主频 80MHz 存储

― 从 32K 字节至 256K 字节片内 Flash 存储器 20万次擦写次数，10 年数据保持

― 从 8K 字节至 20K 字节片内 SRAM

― 片内 1K 字节 Retention RAM

功耗

― ActiveRun 模式：110μA/MHz

― PowerDown 模式：0.1μA（典型值）

― PowerDown with RTC work & 1K SRAM Retention 模式：0.8μA（典型值）

― Standby 模式：80μA(典型值) 

时钟― 外部高速 12MHz Crystal 时钟输入