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SPI NAND Flash

FEATURES
■ X8 I/O BUS

- NAND Interface

- ADDRESS / DATA Multiplexing 
■ SUPPLY VOLTAGE

- VCC = 2.7-3.6 Volt core supply voltage for Program, Erase and Read operations 
■ PAGE READ / PROGRAM

- X8: (2048+64 spare) byte

- Synchronous Page Read Operation

- Random access: 25us (Max)

- Serial access: 25ns (2.7/3.0V)

- Page program time: 300us (Typ) 
■ PAGE COPY BACK

- Fast data copy without external buffering 
■ CACHE PROGRAM

- Internal buffer to improve the program throughput 
■ READ CACHE 
■ LEGACY/ONFI 1.0 COMMAND SET 
■ FAST BLOCK ERASE

- Block size (X8): (128K + 4K) bytes

- Block erase time: 2ms (Typ) 
■ MEMORY CELL ARRAY

- X8: (2K + 64) bytes x 64 pages x 1024 blocks

■ ELECTRONIC SIGNATURE

- Manufacturer Code

- Device Code 
■ STATUS REGISTER 
■ HARDWARE DATA PROTECTION 
■ DATA RETENTION

- 50K Program / Erase cycles

- Data retention: 10 Years (4bit/512byte ECC)

- Block zero is a valid block and will be valid for at lea

 

Type Part Number Density Voltage(V)  Speed(MHz/CLK) Temp.Range PKG Type
SPI NAND FMND1G08S3D-ID 1G 1.8V 45ns  -40℃-85℃ VFBGA63(9*11mm)
FMND1G08S3D-IF  -40℃-85℃ VFGBA67(6.5*8mm)
FMND1G08S3D-IW  -40℃-85℃ KGD
FMND1G08U3D-IA 3.3V 25ns  -40℃-85℃ TSOP48(12*20mm)
FMND1G08U3D-ID  -40℃-85℃ VFBGA63(9*11mm)
FMND1G08U3D-IF  -40℃-85℃ VFBGA63(9*11mm)
FMND1G08U3D-IW  -40℃-85℃ KGD
FMND2G08S3D-ID 2G 1.8V 45ns  -40℃-85℃ VFBGA63(9*11mm)
FMND2G08S3D-IF  -40℃-85℃ VFGBA67(6.5*8mm)
FMND2G08S3D-IW  -40℃-85℃ KGD
FMND2G08U3D-IA 3.3V 25ns  -40℃-85℃ TSOP48(12*20mm)
FMND2G08S3D-ID  -40℃-85℃ VFBGA63(9*11mm)
FMND2G08S3D-IF  -40℃-85℃ VFGBA67(6.5*8mm)
FMND2G08S3D-IW  -40℃-85℃ KGD
FMND4G08U3J-IA 4G 3.3V 25ns  -40℃-85℃ TSOP48(12*20mm)
FMND4G08U3J-ID  -40℃-85℃ VFBGA63(9*11mm)

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