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存储芯片

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DDR3

FEATURES
■ X8 I/O BUS

- NAND Interface

- ADDRESS / DATA Multiplexing 
■ SUPPLY VOLTAGE

- VCC = 1.65-1.95 Volt core supply voltage for Program, Erase and Read operations 
■ PAGE READ / PROGRAM

- X8: (2048+64 spare) byte

- Synchronous Page Read Operation

- Random access: 25us (Max)

- Serial access: 45ns (1.8V) 25ns

- Page program time: 300us (Typ) 
■ PAGE COPY BACK

- Fast data copy without external buffering 
■ CACHE PROGRAM

- Internal buffer to improve the program throughput 
■ READ CACHE 
■ LEGACY/ONFI 1.0 COMMAND SET 
■ FAST BLOCK ERASE

- Block size (X8): (128K + 4K) bytes

- Block erase time: 2ms (Typ) 
■ MEMORY CELL ARRAY

- X8: (2K + 64) bytes x 64 pages x 1024 blocks
■ ELECTRONIC SIGNATURE

- Manufacturer Code

- Device Code 
■ STATUS REGISTER 
■ HARDWARE DATA PROTECTION 
■ DATA RETENTION

- 50K Program / Erase cycles

- Data retention: 10 Years (4bit/512byte ECC)

- Block zero is a valid block and will be valid for at le

 

Type Part Number Density Voltage(V)  Speed(MHz/CLK) Temp.Range PKG Type
DDR3 FM38D08SAA-8KFD 1Gb 1.5V 800MHz  -40℃-85℃ FBGA78 (7.5*11*1.2mm)
FM38D16SAB-8KFD  -40℃-85℃ FBGA96(7.5*13*1.2mm)
FM38D16SAB-8KGD 1.35V   -40℃-85℃
FM38E16SAB-8KFD 2Gb 1.5V 800MHz  -40℃-85℃ FBGA96(7.5*13*1.2mm)
FM38E16SAB-9MFD 933MHz  -40℃-85℃
FM38F16SAD-8KFD 4Gb 1.5V 800MHz  -40℃-85℃ FBGA96(7.5*13*1.2mm)
FM38F16SAD-9MFD 933MHz  -40℃-85℃

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